Marktgröße und Wachstumsprognose für Verbindungshalbleiter 2027–2036, nach Segmenten (Produkt, Abscheidungstechnologien, Typ, Anwendung), regionalen Nachfragetrends (Nordamerika, Asien-Pazifik, Europa), wichtigen Ländereinblicken (USA, Japan, Südkorea, Deutschland, Frankreich, Italien) und Wettbewerbslandschaft
Marktgröße und Wachstumsaussichten
Der globale Markt für Verbindungshalbleiter hatte im Jahr 2026 ein Volumen von über 48,79 Milliarden US-Dollar und wird voraussichtlich zwischen 2027 und 2036 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 10,61 % wachsen und bis 2036 ein Volumen von 133,74 Milliarden US-Dollar erreichen.
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Regionale Marktdynamik
- Nordamerika hielt im Jahr 2025 einen Anteil von 33,05 %, gestützt durch Halbleiterforschungskapazitäten, eine fortschrittliche Telekommunikationsinfrastruktur und die Nachfrage in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Automobilindustrie, Kommunikation und Hochleistungsrechnen.
- Der asiatisch-pazifische Raum dürfte am schnellsten wachsen, bedingt durch die Expansion der Elektronikfertigung, den Ausbau der Kommunikationsinfrastruktur, Investitionen in Halbleiter und die steigende Nachfrage nach Elektromobilität, 5G und energieeffizienten Systemen.
Segmentdynamik
- Das LED-Segment war 2025 Marktführer aufgrund der starken Akzeptanz in den Bereichen Beleuchtung, Automobilindustrie, Displays und Beschilderung, unterstützt durch die wachsende Nachfrage nach energieeffizienter Beleuchtung und kontinuierliche Leistungsverbesserungen.
- Siliziumkarbid (SiC) verzeichnet das schnellste Wachstum, da die Nachfrage nach energieeffizienten Hochleistungshalbleiterbauelementen steigt, die in Elektrofahrzeugen, Systemen für erneuerbare Energien und industrieller Leistungselektronik eingesetzt werden.
Treiber der Marktexpansion
- Die rasche Expansion von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen treibt die Nachfrage nach Verbindungshalbleitern an
- Der Ausbau von 5G und Hochfrequenznetzen beschleunigt die Einführung von Verbindungshalbleitermaterialien.
- Zunehmende Anwendungen in der Photonik und im Radarbereich ermöglichen die Integration fortschrittlicher Sensor- und Kommunikationssysteme.
Führende Marktteilnehmer
- Zu den führenden Unternehmen auf dem Markt für Verbindungshalbleiter gehören Infineon Technologies AG (Deutschland), Qorvo, Inc. (USA), Skyworks Solutions, Inc. (USA), Wolfspeed, Inc. (USA), STMicroelectronics N.V. (Schweiz), Texas Instruments Incorporated (USA), ams-OSRAM AG (Österreich), MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (USA), Samsung Electronics Co., Ltd. (Südkorea), Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japan).
Globale Marktprognose im Überblick
Marktausblick
- Marktgröße 2026: 48,79 Milliarden US-Dollar
- Geschätzte Marktgröße 2027: 53,27 Milliarden US-Dollar
- Prognostizierte Marktgröße: 133,74 Milliarden US-Dollar bis 2036
- Wachstumsprognose: 10,61 % jährliches Wachstum (2027–2036)
Regionaler und segmentbezogener Ausblick
- Führender regionaler Markt: Nordamerika
- Regionales Zentrum mit hohem Wachstumspotenzial: Asien-Pazifik
- Kernumsatzsegment: LED (Produkt) | Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) (Abscheidungstechnologien) | Galliumarsenid (GAAS) (Typ) | Telekommunikation (Anwendung)
- Segment „Neue Chancen“: Leistungselektronik (Produkt) | Atomlagenabscheidung (ALD) (Abscheidungstechnologien) | Siliziumkarbid (SiC) (Typ) | Datenkommunikation (Anwendung)
Marktwachstumstreiber und Branchentrends
Die rasche Expansion von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen treibt die Nachfrage nach Verbindungshalbleitern an
Der beschleunigte Übergang zu Elektromobilität und sauberer Energieerzeugung steigert die Nachfrage nach Halbleitermaterialien, die eine hocheffiziente Leistungsumwandlung und optimale thermische Leistung ermöglichen. Dieser Wandel wird das Wachstum des Marktes für Verbindungshalbleiter vorantreiben, da Elektrofahrzeuge, Ladeinfrastruktur, Solaranlagen und Energiespeicher zunehmend auf fortschrittliche Materialien angewiesen sind, die eine höhere Leistungsdichte und geringere Energieverluste bieten. Hersteller setzen diese Halbleiter ein, um die Systemeffizienz zu verbessern, die Lebensdauer zu verlängern und kompaktere Designs für Energietechnologien der nächsten Generation zu ermöglichen.
Der Ausbau von 5G und Hochfrequenznetzen beschleunigt die Einführung von Verbindungshalbleitermaterialien.
Der weltweite Ausbau fortschrittlicher drahtloser Kommunikationsinfrastrukturen führt zu einer starken Nachfrage nach elektronischen Bauteilen, die bei höheren Frequenzen und Leistungspegeln effizient arbeiten. Der Markt für Verbindungshalbleiter profitiert vom Ausbau der 5G-Netze, da diese Materialien die für Hochfrequenzverstärker, Basisstationen und Hochgeschwindigkeits-Kommunikationsgeräte erforderlichen überlegenen elektrischen Eigenschaften aufweisen. Ihre Fähigkeit, schnellere Signalübertragung, verbesserte Energieeffizienz und zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Netzwerkbedingungen zu ermöglichen, macht sie für die moderne Telekommunikationsinfrastruktur zunehmend wichtig.
Zunehmende Anwendungen in der Photonik und im Radarbereich ermöglichen die Integration fortschrittlicher Sensor- und Kommunikationssysteme.
Rasante Innovationen in der optischen Kommunikation, der industriellen Sensorik, der Luft- und Raumfahrt, der Automobilelektronik und der Verteidigungstechnologie führen zu einer breiteren Anwendung fortschrittlicher Halbleitermaterialien. Der zunehmende Einsatz dieser Technologien wird das Wachstum des Marktes für Verbindungshalbleiter ankurbeln, indem er die Nachfrage nach Materialien für leistungsstarke photonische Bauelemente, Radarsysteme, Laser und Präzisionssensoranwendungen steigert. Ihre herausragenden elektronischen und optischen Eigenschaften ermöglichen eine präzise Signalgenerierung, effiziente Lichtemission und einen zuverlässigen Hochfrequenzbetrieb auf immer komplexeren Kommunikations- und Sensorplattformen.
| Wachstumstreiber | Auswirkung auf CAGR | Regulatorischer Einfluss | Geografische Relevanz | Adoptionsrate | Zeitrahmen der Auswirkungen |
|---|---|---|---|---|---|
| Wachstum bei 5G-, IoT- und Photonikanwendungen beflügelt Verbindungshalbleiter | 0.04 | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) | Asien-Pazifik, Nordamerika | Medium | Schnell |
| Erweiterung der Automobilelektronik und Leistungselektronik | 0.035 | Mittelfristig (2–5 Jahre) | Europa, Asien-Pazifik | Medium | Mäßig |
| Fortschritte bei GaN, SiC und anderen Materialien mit großer Bandlücke | 0.036 | Langfristig (5+ Jahre) | Nordamerika, Europa | Medium | Langsam |
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Regionale Nachfragedynamik
Nordamerika (größte Region)
Nordamerika hielt 2026 mit 33,05 % den größten Anteil am Markt für Verbindungshalbleiter. Die starke Position der Region basiert auf etablierten Forschungskapazitäten im Bereich Halbleiter, einer fortschrittlichen Telekommunikationsinfrastruktur und der breiten Anwendung von Verbindungshalbleitermaterialien in der Luft- und Raumfahrt, der Verteidigung, der Automobilindustrie, der Kommunikationstechnik und im Hochleistungsrechnen. Die steigende Nachfrage nach hochfrequenten, leistungsstarken und energieeffizienten elektronischen Bauteilen fördert Investitionen in fortschrittliche Halbleitertechnologien, während die kontinuierliche Entwicklung von drahtlosen Netzen der nächsten Generation und hochentwickelten elektronischen Systemen die regionale Nachfrage aufrechterhält.
Asien-Pazifik (Region mit dem schnellsten Wachstum)
Der asiatisch-pazifische Raum dürfte aufgrund der expandierenden Elektronikfertigung, des zunehmenden Ausbaus fortschrittlicher Kommunikationsinfrastruktur und der steigenden Nachfrage nach Hochleistungshalbleiterkomponenten der am schnellsten wachsende regionale Markt sein. Die umfangreiche Produktionsbasis für Unterhaltungselektronik und Automobile in der Region bietet ein breites Anwendungsfeld für Verbindungshalbleiter, insbesondere in der Leistungselektronik, bei Hochfrequenzbauelementen und optoelektronischen Systemen. Kontinuierliche Investitionen in die Halbleiterfertigung und die Entwicklung von Elektromobilität, 5G-Netzen und energieeffizienten Elektroniksystemen stärken die Wachstumsaussichten der Region zusätzlich.
| Parameter | Nordamerika | Asien-Pazifik | Europa | Lateinamerika | Nahost und Afrika |
|---|---|---|---|---|---|
| Innovationszentrum i Skala Entstehend Entwickelt sich Fortgeschritten | |||||
| Kostensensibilität der Region i Skala Niedrig Mittel Hoch | |||||
| Regulatorisches Umfeld i Skala Restriktiv Neutral Unterstützend | |||||
| Nachfragetreiber i Skala Schwach Moderat Stark | |||||
| Entwicklungsstand i Skala Aufstrebend Entwickelt sich Entwickelt | |||||
| Adoptionsrate i Skala Niedrig Mittel Hoch | |||||
| Neue Marktteilnehmer / Start-ups i Skala Gering Moderat Hoch | |||||
| Makroökonomische Indikatoren i Skala Schwach Stabil Stark |
Wichtige Erkenntnisse zu einzelnen Ländern
UNS.
Fortschrittliche ChipentwicklungDie USA priorisieren Verbindungshalbleitertechnologien für Verteidigungssysteme, Telekommunikation, Elektrofahrzeuge und fortschrittliche Computeranwendungen. Investitionen in heimische Produktionskapazitäten und hochwertige Forschung unterstützen weiterhin die Kommerzialisierung von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation.
Deutschland
Integration industrieller ElektronikDeutschland konzentriert sich auf Verbindungshalbleiter für Automobilelektronik, industrielle Automatisierung und Energiemanagementanwendungen mit hohen Effizienzanforderungen. Deutsche Hersteller verstärken kontinuierlich die Komponentenintegration, um die Elektrifizierung und die Entwicklung fortschrittlicher Industrieanlagen zu unterstützen.
Japan 🇯🇵
Hochzuverlässige KomponentenJapan legt Wert auf die Herstellung von Verbindungshalbleitern für optische Bauelemente, Automobilsysteme und Präzisionselektronik, die eine zuverlässige Langzeitleistung erfordern. Japanische Unternehmen investieren weiterhin in fortschrittliche Materialien und Fertigungsprozesse, um die Zuverlässigkeit und Effizienz der Komponenten zu verbessern.
Südkorea
Halbleiterfertigungs-ÖkosystemSüdkorea nutzt sein etabliertes Halbleiter-Ökosystem, um die Anwendung von Verbindungshalbleitern in der Kommunikation, der Unterhaltungselektronik und fortschrittlichen Displaytechnologien auszuweiten. Die Hersteller bringen Materialinnovationen zunehmend mit Produktionskapazitäten für große Stückzahlen und den Anforderungen der nächsten Gerätegeneration in Einklang.
Frankreich
ForschungskommerzialisierungspfadFrankreich fördert die Einführung von Verbindungshalbleitern durch die Zusammenarbeit von Forschungseinrichtungen und Industrieunternehmen mit Schwerpunkt auf Photonik, Luft- und Raumfahrt sowie Telekommunikation. Französische Unternehmen setzen zunehmend spezialisiertes Materialwissen in kommerziell erfolgreiche Anwendungen für elektronische Bauteile um.
Italien
Entwicklung von LeistungselektronikItalien treibt den Einsatz von Verbindungshalbleitern in der industriellen Leistungselektronik, in Systemen für erneuerbare Energien und in Transportanwendungen mit Bedarf an effizienter Energieumwandlung voran. Italienische Hersteller konzentrieren sich zunehmend auf die Integration fortschrittlicher Halbleitermaterialien in leistungsstarke elektrische Geräte.
Segmentführerschaft und Wachstumstrends
Markt für Verbindungshalbleiter Share (%), von Produkt, 2026
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Kostenlosen Musterbericht anfordernProduktsegmentanalyse: LED (größtes Segment) vs. Leistungselektronik (am schnellsten wachsendes Segment)
Das LED-Segment hielt 2026 den größten Marktanteil, gestützt durch die breite Anwendung von Verbindungshalbleitern in der Allgemeinbeleuchtung, Fahrzeugbeleuchtung , Displaytechnologien und Beschilderung. Die starke Nachfrage nach energieeffizienten Beleuchtungslösungen und die kontinuierlichen Leistungsverbesserungen von LEDs sicherten dem Segment seine dominante Position. Die breite Kommerzialisierung der LED-Technologie in den Bereichen Wohnen, Industrie und Gewerbe stärkt seine Marktführerschaft zusätzlich.
Der Markt für Verbindungshalbleiter dürfte im Segment der Leistungselektronik aufgrund der steigenden Nachfrage nach hocheffizienten Lösungen für Leistungsumwandlung und Energiemanagement das schnellste Wachstum verzeichnen. Die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und fortschrittlichen Industrieanlagen beschleunigt den Einsatz von Leistungshalbleiterbauelementen. Ihre Fähigkeit, auch unter hohen Temperaturen und Spannungen effizient zu arbeiten, trägt weiterhin zum rasanten Marktwachstum bei.
Segmentanalyse der Abscheidungstechnologien: Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) (größtes Segment) vs. Atomlagenabscheidung (ALD) (am schnellsten wachsendes Segment)
Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) stellte 2026 das größte Segment dar, da sie zur Herstellung hochwertiger Halbleiterschichten mit exzellenter Gleichmäßigkeit und Skalierbarkeit weit verbreitet eingesetzt wird. Die Technologie bleibt ein bevorzugtes Fertigungsverfahren für eine breite Palette von Verbindungshalbleiterbauelementen, da sie die Massenproduktion bei gleichbleibenden Materialeigenschaften ermöglicht. Ihre etablierte industrielle Anwendung untermauert weiterhin die führende Position des Segments.
Die Atomlagenabscheidung (ALD) dürfte das schnellste Wachstum verzeichnen, da Halbleiterhersteller zunehmend ultradünne, hochgradig homogene Schichten für elektronische und optoelektronische Bauelemente der nächsten Generation benötigen. Die außergewöhnliche Präzision der Technologie und ihre Fähigkeit, konforme Beschichtungen auf komplexen Strukturen abzuscheiden, machen sie für die fortschrittliche Halbleiterfertigung immer wertvoller. Die fortschreitende Miniaturisierung und die steigenden Anforderungen an die Bauelementleistung treiben die breitere Anwendung von ALD-Prozessen voran.
Typensegmentanalyse: Galliumarsenid (GAAS) (Größtes Segment) vs. Siliciumcarbid (SiC) (Am schnellsten wachsendes Segment)
Galliumarsenid (GaAs) entwickelte sich 2026 zum größten Marktsegment, was seine breite Anwendung in Hochfrequenz-Kommunikationsgeräten, Optoelektronik und Hochfrequenzkomponenten widerspiegelt. Seine überlegene Elektronenmobilität und die hervorragende Leistung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen machen GaAs zu einem bevorzugten Material für fortschrittliche Kommunikationstechnologien und spezialisierte elektronische Geräte. Der kontinuierliche Ausbau leistungsstarker drahtloser Infrastrukturen hat seine Marktposition weiter gestärkt.
Im Markt für Verbindungshalbleiter wird dem Segment Siliziumkarbid (SiC) aufgrund der steigenden Nachfrage nach Hochleistungs- und Hochtemperatur-Halbleiterbauelementen das schnellste Wachstum prognostiziert. SiC ermöglicht eine höhere Energieeffizienz und verbesserte thermische Eigenschaften und ist daher besonders attraktiv für Elektromobilität, erneuerbare Energiesysteme und industrielle Leistungselektronik. Kontinuierliche Fortschritte bei energieeffizienten Technologien beschleunigen die Verbreitung von Siliziumkarbid-basierten Bauelementen weiter.
| Segment | Untersegment | Größtes Segment | Am schnellsten wachsend |
|---|---|---|---|
| Produkt | LED, Optoelektronik, HF-Bauelemente, Leistungselektronik | LED | Leistungselektronik |
| Beschichtungstechnologien | Chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Molekularstrahlepitaxie, Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE), Ammonothermische Abscheidung, Flüssigphasenepitaxie, Atomlagenabscheidung (ALD), Sonstige | Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) | Atomlagenabscheidung (ALD) |
| Typ | GaN, Galliumarsenid (GAAS), Siliciumcarbid (SiC), Indiumphosphid (INP), Siliciumgermanium (SIGE), Galliumphosphid (GAP), Sonstige | Galliumarsenid (GAAS) | Siliciumcarbid (SiC) |
| Anwendung | Allgemeine Beleuchtung, Telekommunikation, Militär, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Stromversorgung, Datenkommunikation, Unterhaltungselektronik, Gewerbe, Endgeräte, Sonstige | Telekommunikation | Datacom |
Wettbewerbslandschaft und Marktpositionierung
Wichtige Unternehmen auf dem Markt für Verbindungshalbleiter:
- Infineon Technologies AG (Deutschland)
- Qorvo, Inc. (USA)
- Skyworks Solutions, Inc. (USA)
- Wolfspeed, Inc. (USA)
- STMicroelectronics NV (Schweiz)
- Texas Instruments Incorporated (USA)
- ams-OSRAM AG (Österreich)
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (USA)
- Samsung Electronics Co., Ltd. (Südkorea)
- Sumitomo Electric Industries Ltd. (Japan)
Technologische Leistungsfähigkeit ist im Markt für Verbindungshalbleiter zum zentralen Wettbewerbsfaktor geworden. Hersteller streben nach Materialien und Fertigungsprozessen, die überlegene Leistung für Hochfrequenz-, Hochleistungs- und optoelektronische Anwendungen ermöglichen. Der Erfolg hängt zunehmend von der Beherrschung anspruchsvoller Produktionstechniken bei gleichzeitiger Gewährleistung einer gleichbleibenden Waferqualität und der Erfüllung der hohen Anforderungen fortschrittlicher elektronischer Systeme ab. Der Markt verzeichnet zudem eine stärkere Verzahnung von Materialinnovationen und Anwendungsentwicklung, was Zulieferer dazu veranlasst, die Zusammenarbeit mit Geräteherstellern zu intensivieren und die Kommerzialisierung von Halbleiterarchitekturen der nächsten Generation zu beschleunigen, die den sich rasch wandelnden Leistungsanforderungen gerecht werden.
| Unternehmen | Marktanteil | Unternehmensumsatz | Umsatz-CAGR (%) | Produktportfolio | Geografische Präsenz | Innovations- / F&E-Schwerpunkt | Strategische Entwicklungen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Infineon Technologies AG (Germany) | |||||||
| Qorvo Inc. (USA) | |||||||
| Skyworks Solutions Inc. (USA) | |||||||
| Wolfspeed Inc. (USA) | |||||||
| STMicroelectronics N.V. (Switzerland) | |||||||
| Texas Instruments Incorporated (USA) | |||||||
| ams-OSRAM AG (Austria) | |||||||
| MACOM Technology Solutions Holdings Inc. (USA) | |||||||
| Samsung Electronics Co. Ltd. (South Korea) | |||||||
| Sumitomo Electric Industries Ltd. (Japan) |
Branchenentwicklung/Nachrichten
| Unternehmensname | Datum | Wichtige Entwicklung |
|---|---|---|
| GCCS | 26. Mai | GCCS hat mit der Purdue University eine gemeinsame Entwicklungsvereinbarung unterzeichnet, um Siliziumkarbid-Substrate (SiC) auf 8- und 12-Zoll-Formate zu skalieren. Diese Initiative optimiert die thermische Leistung, um Engpässe in der Lieferkette für 6G-Chips der nächsten Generation und KI-Rechenzentren zu beseitigen. |
| Kristallmatrix | 26. Mai | Crystal Matrix erhielt die staatliche Genehmigung zum Bau einer integrierten Produktionsanlage für Verbindungshalbleiter und fortschrittliche Gehäuse in Gujarat. Das Projekt schafft eine grundlegende inländische Fertigungspräsenz im Rahmen des milliardenschweren indischen Förderprogramms für Halbleiter. |
| IQE | 26. April | IQE hat eine strategische Investition in Höhe von 81 Millionen Pfund unter der Führung von Macom erhalten. Die Finanzierung stärkt die Kapitalstruktur von IQE und erweitert die Produktionsanlagen für Hochleistungs-Verbindungshalbleiter, um die Marktnachfrage nach fortschrittlichen Epitaxie-Wafern für die optische und drahtlose Kommunikation zu decken. |
| AIXTRON | 26. März | AIXTRON hat die Pläne für den Bau einer neuen Produktionsstätte in Malaysia finalisiert. Durch diese geografische Expansion erweitert das Unternehmen seine Produktionskapazitäten für spezialisierte MOCVD-Anlagen (Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) zur Herstellung von Verbindungshalbleitern und kann so der weltweit steigenden Nachfrage gerecht werden. |
| SiCSem | 25. November | SiCSem hat in Partnerschaft mit Clas-SiC Wafer Fab den Grundstein für eine kommerzielle Siliziumkarbid-(SiC)-Fertigungsanlage im Wert von 2.500 Crore ₹ (ca. 300 Millionen Euro) in Odisha, Indien, gelegt. Die Anlage wird jährlich 60.000 Wafer produzieren und zielt auf die Integration in die Lieferkette für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Verteidigungssysteme ab. |
| Kohärent | 25. August | Coherent hat in Vietnam eine neue Produktionsanlage für Siliziumkarbid (SiC) in Betrieb genommen. Die Anlage erweitert die globale Lieferkette und Produktionskapazität des Unternehmens für Substratmaterialien mit großer Bandlücke und trägt der steigenden Nachfrage in Industrie- und Automobilanwendungen Rechnung. |
| Navitas Semiconductor | 25. Mai | Navitas Semiconductor hat eine hocheffiziente 12-kW-Netzteilarchitektur auf den Markt gebracht, die auf seinen SiC-MOSFETs der dritten Generation und GaNSafe-integrierten Schaltkreisen basiert. Mit einem Wirkungsgrad von 97,8 % zielt das System auf die sofortige Einführung der Technologie in energieintensiven Hyperscale-KI-Rechenzentren ab. |
| Vanguard International Semiconductor | 24. November | Vanguard International Semiconductor ist eine Partnerschaft mit Episil eingegangen, um eine Produktionsanlage für 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) zu errichten. Diese Zusammenarbeit beschleunigt den Übergang von 6-Zoll- zu 8-Zoll-Fertigungsmaßstäben und senkt die Produktionskosten für Leistungselektronik in der Automobilindustrie. |
| STMicroelectronics | 24. Mai | STMicroelectronics hat Pläne für den Bau einer vollintegrierten Siliziumkarbid-Fertigungsanlage (SiC) in Catania, Italien, vorgestellt. Die Investition in Milliardenhöhe deckt die gesamte SiC-Wertschöpfungskette von der Substratproduktion bis zur Bauelementefertigung ab und sichert so die langfristige Versorgungssicherheit für Elektrofahrzeuge. |
| Vishay | 24. März | Vishay hat die Übernahme von Newport Wafer Fab für 177 Millionen US-Dollar abgeschlossen. Durch diese Transaktion erweitert Vishay seine Fertigungskapazitäten um eine groß angelegte, für die Automobilindustrie zertifizierte Waferfertigungsanlage und stärkt damit seine Wettbewerbsposition im Bereich der Leistungshalbleiter. |
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Markt für Verbindungshalbleiter — Individuelle Segmente
| Segment | Untersegment |
|---|---|
| Kundentyp | Halbleiterhersteller, Elektronik- und Gerätehersteller, Automobil- und Mobilitätsunternehmen, Anbieter von Telekommunikationsausrüstung, Industrie- und Energieunternehmen |
| Fertigungsmodell | Integrierte Gerätefertigung, Auftragsfertigung, Fabless- und Outsourcing-Fertigung, gemeinsame Entwicklung und Auftragsfertigung |
| Geräteintegrationsebene | Diskrete Bauelemente, integrierte Schaltungen, Multi-Chip-Module, fortgeschrittene integrierte Module |
Markt für Verbindungshalbleiter — Individuelles Inhaltsverzeichnis
| Individuelles Kapitel | Individuelle Details |
|---|---|
| Resilienz der Lieferkette für Verbindungshalbleiter |
|
| Roadmap zur Kapazitätserweiterung für Verbindungshalbleiter |
|
| Kommerzielle Positionierung von Galliumnitrid und Siliciumcarbid |
|
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| Quelle | Referenz |
|---|---|
| Semiconductor Industry Association (SIA) | www.semiconductors.org |
| SEMI | www.semi.org |
| JEDEC Solid State Technology Association | www.jedec.org |
| IEEE | www.ieee.org |
| IPC – Association Connecting Electronics Industries | www.ipc.org |
| International Electrotechnical Commission (IEC) | www.iec.ch |
| International Organization for Standardization (ISO) | www.iso.org |
| U.S. Bureau of Industry and Security (BIS) | www.bis.gov |
| U.S. Patent and Trademark Office (USPTO) | www.uspto.gov |
| European Patent Office (EPO) | www.epo.org |
| Taiwan Semiconductor Industry Association (TSIA) | www.tsia.org.tw |
| World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) | www.wsts.org |
| International Energy Agency (IEA) | www.iea.org |
| GSMA | www.gsma.com |
| 3GPP | www.3gpp.org |
| ITU (International Telecommunication Union) | www.itu.int |
| Omdia (public insights) | omdia.tech.informa.com |
| Display Supply Chain Consultants (DSCC) | www.displaysupplychain.com |
| U.S. Department of Energy (DOE) | www.energy.gov |
| NIST (National Institute of Standards and Technology) | www.nist.gov |
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